第三方檢測-北京
010-62182643(檢測業務)
010-62182674(試樣加工)
方案簡介:
半導體器件生產過程中,缺陷的存在會不同程度影響產品質量,例如關鍵位置的金屬類夾雜可能會引發器件的短路,清洗溶液不純凈引入的有機、無機析出物可能會導致光刻、離子注入、沉積等環節的失敗,進而引發晶圓圖形與設計不符等問題。因此,晶圓生產制造過程需要對缺陷進行實時監控,并對大量重復出現的缺陷進行分析溯源,以快速明確夾雜、缺陷的來源,從而控制調整相關工藝,穩定產品質量。
納克微束FE-1050熱場發射型掃描電鏡,具有在1kV落點電壓(減速電場)下1.5nm的極限分辨能力,可以對電子束敏感類材料直接成像,最小化對樣品的電子輻照損傷。
FE-1050系列掃描電鏡具有寬大的主腔室和五軸樣品臺,最大可進入φ300mm*50mm尺寸的樣品,整個系統提供多達27個探測器接口,最大程度為用戶觀察分析提供便利??筛鶕脩羰褂脠鼍?,做高速采集升級改造,改造后的掃描速度可達到常規掃描電鏡的50-100倍,更適用于大面積連續掃描成像和缺陷自動分析場景。
同時,還可為有特殊缺陷檢測需求的用戶提供定制化的算法外包開發服務,包括但不限于傳統機器視覺、深度學習型機器視覺等類型的服務。定制化服務形式靈活,開發周期可根據用戶產品更迭和產能情況及時調整。
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